Details

Данная работа посвящена исследованию температурной зависимости порогового тока в полупроводниковых лазерах на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с различной глубиной квантовой ямы. В ходе работы были измерены мощностные характеристики лазеров в непрерывном режиме инжекции. По результатам измерений были определены характеристические температуры порогового тока для лазеров, сформированных на основе гетероструктур различного дизайна. Проведен анализ результатов и сравнение полученных характеристических температур. Экспериментально показано, что увеличение энергетической глубины квантовой ямы в активной области полупроводникового лазера повышает температурную стабильность порогового тока.

The given work is devoted to studying the temperature dependence of the threshold current in semiconductor lasers based on asymmetric separate confinement heterostructures with different quantum well depths. The power characteristics of the lasers were measured in continuous injection mode. Based on the measurement results, the characteristic threshold current temperatures were determined for lasers based on heterostructures with different designs. The results were analyzed and the characteristic temperatures were compared. It has been experimentally shown that the increase of energy depth of quantum wells in the active region of semiconductor laser improves the temperature stability of the threshold current.