Details

Работа посвящена анализу работы интегрального СВЧ-усилителя на основе GaAs-технологии и разработке топологии интегральной схемы двухкаскадного усилителя на основе GaAs-технологии. Цель работы – разработка усилителя на основе GaAs-технологии. Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: 1. Обзор литературы по теме работы; 2. Разработка принципиальной схемы усилителя с использованием идеализированных элементов; 3. Моделирование принципиальной схемы усилителя с использованием моделей библиотечных элементов и корректировка параметров элементов; 4. Разработка топологии интегральной схемы усилителя; 5. Моделирование топологии и корректировка параметров элементов; 6. Анализ полученных результатов. В результате исследования разработан усилитель на основе GaAs-технологии. В результате исследования получена интегральная схема усилителя на основе GaAs-технологии. Научная новизна заключается в разделении планарных индуктивностей в межкаскадной цепи согласования для преодоления ограничений по плотности тока в слое металлизации без смещения резонансных частот согласующих цепей. Данный усилитель может быть использован в усилительных блоках систем связи и в системах АФАР. В процессе работы были использованы САПР для СВЧ-проектирования и информационные базы данных (IEEE Xplore, Scopus, Google Scholar).

Object of the study is linear microwave amplifier based on GaAs technology, and the subject of the study is the layout design of two-stage GaAs-based amplifier. The aim is to design a microwave GaAs-based amplifier IC. The following tasks were solved: 1. Literature review on the research topic; 2. Design of the amplifier schematic using idealized components; 3. Simulation of the amplifier schematic using library component models and adjustment of component parameters; 4. Design of the integrated circuit layout of the amplifier; 5. Layout simulation and adjustment of the component parameters; 6. Analysis of obtained results. As a result of the study, a two-stage amplifier based on GaAs technology was designed. As a result of the study, a layout of the GaAs-based amplifier was obtained. The scientific novelty lies in splitting the planar inductors in interstage matching network to overcome the current density limitations in the metallization layer without shifting the resonant frequencies of the matching networks. This amplifier can be used in the Gain Blocks of communication systems and in AESA systems. In the process of work, CAD for microwave design and information databases (IEEE Xplore, Scopus, Google Scholar) were used.