Детальная информация
| Название | Управление фазовыми переходами в тонких плёнках PbZrO3 за счет эпитаксиальной ориентации: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников» = Control of phase transitions in PbZrO3 thin films through epitaxial orientation |
|---|---|
| Авторы | Архипов Николай Александрович |
| Научный руководитель | Бурковский Роман Георгиевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2026 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | антисегнетоэлектрик ; тонкая плёнка ; цирконат свинца ; структурный фазовый переход ; доменная структура ; несоразмерная фаза ; рентгеновская дифракция ; antiferroelectric ; thin film ; lead zirconate ; epitaxial orientation ; structural phase transition ; domain structure ; incommensurate phase ; x-ray diffraction |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-4783 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\45378 |
| Дата создания записи | 08.09.2026 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет возможно после подготовки администраторами необходимых файлов
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена исследованию влияния эпитаксиальной ориентации плёнки PbZrO3 на индуцированные температурой фазовые переходы. В результате исследования проанализированы литературные данные о структуре, доменных состояниях и фазовых переходах PbZrO3, проведены in-situ температурные дифракционные эксперименты и построены температурные зависимости сверхструктурных рефлексов. Показано, что эпитаксиальная ориентация изменяет устойчивость антисегнетоэлектрических доменов, проявление несоразмерной фазы и характер антиферродисторсионного порядка. Предложена качественная интерпретация наблюдаемых различий как результата домен-селективного упругого взаимодействия плёнки с подложкой. Применены программные средства CrysAlisPro для работы с дифрактометром SuperNova, Matlab и профильный программный пакет, включая самописное ПО, для обработки дифракционных данных. Использованы прикладные программные средства VESTA и ISODISTORT для симуляции дифракции от разных доменов и анализа вклада АСЭ-доменов в интенсивности различных R-точек. Результаты работы могут быть использованы при дальнейшем исследовании и управлении фазовыми переходами в эпитаксиальных антисегнетоэлектрических плёнках.
The given work investigates the effect of chosen crystallographic orientation on PbZrO3 epitaxial films temperature-induced phase transition. The study analyzes literature data on the structure, domain states, and phase transitions of PbZrO3, presents in-situ temperature diffraction experiments, and constructs temperature dependences of superstructure reflections. It is shown that epitaxial orientation changes the stability of antiferroelectric domains, the manifestation of the incommensurate phase, and the character of antiferrodistortive ordering. Signs of order-parameter separation are observed for the (111) film. The observed differences are interpreted qualitatively as a result of domain-selective elastic interaction between the film and the substrate. CrysAlisPro was used for operating the SuperNova diffractometer. Matlab and a specialized data-processing package, including custom software, were used for diffraction data processing. VESTA and ISODISTORT were used to simulate diffraction from different domains and to analyze the contribution of antiferroelectric domains to different R points. The results of the work can be used in further investigation and control of phase transitions in epitaxial antiferroelectric films.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|