Details

Методом магнетронного распыления были получены аморфные пленки теллурида германия толщиной 20-500 нм. Структура пленок исследована с помощью рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света, электронной и оптической микроскопии. В процессе исследования были измерены температурные и временные зависимости коэффициента термоэдс и удельного сопротивления в диапазоне 300 700 К для аморфного, кристаллического и частично кристаллизованного состояний. Обнаружены особенности поведения коэффициента термоэдс, не описанные в ранних исследованиях теллурида германия. Установлена связь между термоэлектрическими свойствами, изменениями структуры пленок и механизмами переноса заряда в процессе кристаллизации.

Amorphous films of germanium telluride with a thickness of 20-500 nm were obtained using magnetron sputtering. The structure of the films was studied using X-ray diffraction, Raman scattering, and electron and optical microscopes. The temperature and time dependencies of the Seebeck coefficient and resistivity were measured in the range of 300-700 K for the amorphous, crystal, and partially crystallized states. The study revealed features in the behavior of the Seebeck coefficient that were not observed in earlier studies of germanium telluride. The relationship between the thermoelectric properties, the structure of the film, and charge transport mechanisms during the crystallization process was established.