Details

В рамках данной работы был разработан аппаратный комплекс универсальной плазмохимической установки, а также проведен поиск условий осуществления технологического процесса плазмохимического осаждения пленок пористого оксида кремния с использованием сверхвысокочастотного разряда для их применения в микроэлектронике и оптоэлектронике. В работе содержится описание модификаций, привнесенных в конструкцию установки – разработка и внедрение газораспределительной системы, включающей магистраль подачи кремнийсодержащего реагента с помощью испарителей и магистрали подачи газов-плазмообразователей; разработка и изготовление нагреваемого подложкодержателя, а также системы контроля температуры на его поверхности; разработка и внедрение системы питания электрических клапанов; разработка коллекторного узла для измерения поглощаемой плазмой мощности. В результате поиска технологических параметров был осажден порошок состава SiOxCyHz, показаны закономерности роста порошка. Порошок был исследован с помощью микроскопа микротвердомера и с помощью инфракрасного спектрофотометра. В конце работы определено направление дальнейших исследований, которые помогут добиться осаждения пористых покрытий оксида кремния в данной установке.

This work involved developing a hardware complex for a universal plasma-enhanced chemical vapor deposition plant and identifying the process conditions for plasma-enhanced chemical vapor deposition of porous silicon oxide films using microwave discharge for use in microelectronics and optoelectronics. This work describes modifications to the system design, including the development and implementation of a gas distribution system, including a silicon-containing reagent supply line via evaporators and a plasma-forming gas supply line; the development and manufacture of a heated substrate holder and a surface temperature control system; the development and implementation of a power supply system for electric valves; and the development of a collector unit for measuring the power absorbed by the plasma. As a result of searching for the process parameters, a SiOxCyHz powder was deposited, and the powder growth patterns were demonstrated. The powder was examined using a microhardness microscope and an infrared spectrophotometer. At the end of the work, the direction of further research was determined, which will help to achieve the deposition of porous silicon oxide coatings in this plant.