Login
Search manual

Details

Title Электронные приборы. Транзисторы, тиристоры, приборы с зарядовой связью: учебное пособие
Creators Гнучев Николай Михайлович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Imprint Санкт-Петербург, 2024
Collection Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция
Subjects Тиристоры ; Электронные приборы с зарядовой связью ; транзисторы ; физические процессы ; применение ; учебники и пособия для вузов
UDC 621.382.2(075.8)
Document type Tutorial
Language Russian
Speciality code (FGOS) 16.03.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/5/tr24-18
Rights Доступ из локальной сети ФБ СПбПУ (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\72518
Record create date 2/16/2024

Allowed Actions

–

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if administrator prepare required files

Group Anonymous
Network Internet

Пособие предназначено в качестве основного материала при изучении дисциплин "Электронные приборы", "Электроника", "Физические основы электроники" для направлений подготовки бакалавров "Техническая физика", "Электроника и наноэлектроника".

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print
Internet Anonymous
  • ОГЛАВЛЕНИЕ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
  • 1.1. Общие положения
  • 1.2. Распределение концентраций неосновных носителей в базе транзистора
  • 1.2. Распределение концентраций неосновных носителей в базе транзистора
  • 1.3. Физические процессы в биполярном транзисторе в активном режиме
  • 1.4. Модуляция ширины базы биполярного транзистора (эффект Эрли). Обратная связь по напряжению
  • 1.5. Схема с общей базой.
  • 1.5.1. Токи в схеме с общей базой
  • 1.5.2. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой
  • 1.6. Схема с общим эмиттером
  • 1.6.1. Токи в схеме с общим эмиттером
  • 1.6.2. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
  • 1.7. Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора
  • 1.8. Статические и малосигнальные параметры биполярных транзисторов
  • 1.9. Биполярный транзистор как усилитель малых переменных сигналов
  • 1.10. Биполярный транзистор в схеме ключа
  • 2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
  • 2.1. Общие положения
  • 2.2. Полевой транзистор с управляющим переходом
  • 2.2.1. Физические процессы в полевом транзисторе с управляющим переходом при постоянном напряжении сток-исток. Передаточные вольтамперные характеристики
  • 2.2.2. Физические процессы в полевом транзисторе с управляющим переходом при постоянном напряжении затвор-исток. Выходные вольтамперные характеристики
  • 2.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
  • 2.3.1. Особенности электронного строения приповерхностной области полупроводника
  • 2.3.2. Эффект поля в полупроводниках
  • 2.3.3. МДП-транзистор с индуцированным каналом
  • 2.3.4. МДП-транзистор со встроенным каналом
  • 2.3.5. Статические и малосигнальные параметры полевых транзисторов
  • 2.3.6. Полевой транзистор как усилитель малого переменного сигнала
  • 3. ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ УСТРОЙСТВ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
  • 3.1 Мощные МДП-транзисторы
  • 3.2. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
  • 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙСВЯЗЬЮ (ФПЗС)
  • 4.1. Общие положения
  • 4.2. Принцип действия фотоэлектрических приборовс зарядовой связью
  • 5. ТИРИСТОРЫ
  • 5.1. Общие положения
  • 5.2. Диодный тиристор (динистор)
  • 5.2.1. Физические процессы, определяющие работу тиристора
  • 5.3. Триодный тиристор (тринистор)
  • 5.4. Симметричный тиристор (симистор).
  • БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
...