Пособие предназначено в качестве основного материала при изучении дисциплин "Электронные приборы", "Электроника", "Физические основы электроники" для направлений подготовки бакалавров "Техническая физика", "Электроника и наноэлектроника".

• ОГЛАВЛЕНИЕ
• ВВЕДЕНИЕ
• 1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
• 1.1. Общие положения
• 1.2. Распределение концентраций неосновных носителей в базе транзистора
• 1.2. Распределение концентраций неосновных носителей в базе транзистора
• 1.3. Физические процессы в биполярном транзисторе в активном режиме
• 1.4. Модуляция ширины базы биполярного транзистора (эффект Эрли). Обратная связь по напряжению
• 1.5. Схема с общей базой.
• 1.5.1. Токи в схеме с общей базой
• 1.5.2. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой
• 1.6. Схема с общим эмиттером
• 1.6.1. Токи в схеме с общим эмиттером
• 1.6.2. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
• 1.7. Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора
• 1.8. Статические и малосигнальные параметры биполярных транзисторов
• 1.9. Биполярный транзистор как усилитель малых переменных сигналов
• 1.10. Биполярный транзистор в схеме ключа
• 2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
• 2.1. Общие положения
• 2.2. Полевой транзистор с управляющим переходом
• 2.2.1. Физические процессы в полевом транзисторе с управляющим переходом при постоянном напряжении сток-исток. Передаточные вольтамперные характеристики
• 2.2.2. Физические процессы в полевом транзисторе с управляющим переходом при постоянном напряжении затвор-исток. Выходные вольтамперные характеристики
• 2.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
• 2.3.1. Особенности электронного строения приповерхностной области полупроводника
• 2.3.2. Эффект поля в полупроводниках
• 2.3.3. МДП-транзистор с индуцированным каналом
• 2.3.4. МДП-транзистор со встроенным каналом
• 2.3.5. Статические и малосигнальные параметры полевых транзисторов
• 2.3.6. Полевой транзистор как усилитель малого переменного сигнала
• 3. ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ УСТРОЙСТВ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
• 3.1 Мощные МДП-транзисторы
• 3.2. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
• 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙСВЯЗЬЮ (ФПЗС)
• 4.1. Общие положения
• 4.2. Принцип действия фотоэлектрических приборовс зарядовой связью
• 5. ТИРИСТОРЫ
• 5.1. Общие положения
• 5.2. Диодный тиристор (динистор)
• 5.2.1. Физические процессы, определяющие работу тиристора
• 5.3. Триодный тиристор (тринистор)
• 5.4. Симметричный тиристор (симистор).
• БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК