Details

Title Введение в наноэлектронику: учебное пособие
Creators Смердов Ростислав Сергеевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций. Высшая школа электроники и микросистемной техники
Imprint Санкт-Петербург, 2026
Collection Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция
Subjects Электроника ; модель Ландауэра ; баллистическая проводимость ; квант проводимости ; волновая функция ; эффективная масса ; учебники и пособия для вузов ; наноэлектроника
UDC 621.38(075.8)
Document type Tutorial
Language Russian
Speciality code (FGOS) 11.03.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/5/tr26-53
Rights Свободный доступ из сети Интернет (чтение)
Additionally New arrival
Record key RU\SPSTU\edoc\78599
Record create date 4/8/2026

Allowed Actions

Read

Group Anonymous
Network Internet

Учебное пособие посвящено фундаментальным физическим основам наноэлектроники и последовательно раскрывает связь между квантово-механическим описанием электрона, зонной теорией твёрдого тела, размерным квантованием, плотностью состояний, статистикой Ферми–Дирака и моделью Ландауэра как современной основой описания транспорта в низкоразмерных каналах. В пособии рассмотрены волновая функция и уравнение Шрёдингера, простейшие квантовые задачи, формирование энергетических зон и подзон, поведение плотности состояний в системах различной размерности, а также баллистический, квазибаллистический и диффузионный режимы переноса. Издание ориентировано на формирование у студентов целостного представления о физических механизмах, определяющих свойства наноразмерных электронных структур и приборов.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read
Internet All
  • ОГЛАВЛЕНИЕ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КВАНТОВОМЕХАНИЧЕСКОГО ПОДХОДА
  • 2. БАЗОВЫЙ ФОРМАЛИЗМ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ.
  • 2.1. Волновая функция
  • 2.2. Уравнение Шрёдингера.
  • 3. ПРОСТЕЙШИЕ КВАНТОВЫЕ ЗАДАЧИ (БАЗОВЫЕ МОДЕЛИ).
  • 3.1. Свободная частица.
  • 3.2. Частица в потенциальной яме с непроницаемыми стенками
  • 3.3. Частица в потенциальной яме конечной глубины
  • РАЗДЕЛ 4. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЁРДЫХ ТЕЛ
  • 4.1. Постановка задачи об электроне в кристалле
  • 4.2. Теорема Блоха и общий вид волновых функций в кристалле
  • 4.3. Модель Кронига–Пенни как простейшая модель периодического потенциала
  • 4.4. Диаграммы E(k) и зоны Бриллюэна
  • 4.5. Волновой пакет и скорость электрона в кристалле
  • 4.6. Эффективная масса
  • 4.7. Заполнение энергетических зон и возникновение тока
  • 4.8. Электроны и дырки как носители заряда
  • 4.9. Подзоны в низкоразмерных структурах
  • 5. ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ И РАВНОВЕСНОЕ ЗАПОЛНЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ
  • 5.1 Понятие плотности состояний
  • 5.2. Плотность состояний в трёхмерном случае
  • 5.3. Плотность состояний в двумерных и одномерных структурах
  • 5.4. Распределение Ферми–Дирака и переход к модели Ландауэра
  • 6. МОДЕЛЬ ЛАНДАУЭРА И ТРАНСПОРТ ОТ БАЛЛИСТИЧЕСКОГО К ДИФФУЗИОННОМУ
  • 6.1. Физическая постановка модели Ландауэра
  • 6.2. Заселение состояний канала и выражение для тока
  • 6.3. Связь с равновесием и линейный отклик
  • 6.4. Число мод проводимости
  • 6.5. Коэффициент передачи и переход от баллистического к диффузионному режиму
  • 6.6. Баллистическая проводимость и квант проводимости
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • ЛИТЕРАТУРА

Access count: 12 
Last 30 days: 12

Detailed usage statistics