Детальная информация

В данной работе показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных методом NH3-MBE при экстремально высоких температурах (до 1200°C), позволяет достичь высокого совершенства верхнего слоя GaN. Исследовано влияние потока аммиака в диапазоне температур 1000-1200°C. Получена атомарно-гладкая поверхность AlN. В процессе работы были решены следующие задачи:Выращивание гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN при различных начальных условиях роста.Осуществление контроля в процессе роста следующими методами: лазерная интерферометрия и дифракция быстрых электронов.Проведение измерений физических параметров получившихся структур.Анализ данныхПрименение различных подходов на этапе роста буферных слоев (сурфактант Ga или оптимизированный поток аммиака и температура подложки) позволяет заметно увеличить подвижность носителей в двумерном электронном газе.

It is shown that the use of high-temperature AlN/AlGaN buffer layers grown by NH3 -MBE at extremely high temperatures (up to 1200°C) allows one to improve drastically the structural quality of topmost GaN layer. The influence of an ammonia flow in the temperature range 1000–1200°C was investigated. An atomic-smooth AlN surface was obtained. In the process, the following tasks were solved:Growing of AlN / AlGaN / GaN / AlGaN heterostructures at different flows of aluminum and ammonia.Monitoring during growth by the following methods: laser interferometry and diffraction of fast electrons.Measurement of the physical parameters of the resulting structures.Data analysisThe use of various approaches at the initial stage of growth of buffer layers (Ga-surfactant or optimized ammonia flow and substrate temperature) can significantly increase the carrier mobility in a two-dimensional electron gas.