Детальная информация

Название: Низкотемпературное плазмохимическое осаждение диэлектрических пленок при атмосферном давлении: научный доклад: направление подготовки 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи» ; направленность 11.06.01_03 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»
Авторы: Биль Анастасия Сергеевна
Научный руководитель: Александров Сергей Евгеньевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2023
Коллекция: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика: Плазма (физ.) низкотемпературная; Пленки тонкие; Полимеры; Защитные покрытия; диэлектрический барьерный разряд; dielectric barrier discharge
УДК: 533.915; 621.387.143; 538.975; 544.72; 539.216.2; 544.23/.25; 678.7; 621.793
Тип документа: Научный доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Аспирантура
Код специальности ФГОС: 11.06.01
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Права доступа: Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141
Ключ записи: ru\spstu\vkr\26322

Аннотация

В работе описаны результаты исследования кинетики и физико-химических закономерности формирования тонких слоев состава SiOxCyHz на полимерных подложках в низкотемпературной плазме барьерного разряда при атмосферном давлении. Представлены результаты измерения смачиваемости и устойчивости полученных тонких слоев к внешним механическим воздействиям. Проведено сравнение свойств покрытий, осажденных из тетраэтоксисилана и гексаметилдисилоксана.

The manuscript describes the results of a study of the kinetics and physicochemical regularities of the formation of silica-like thin films on polymer substrates in a low temperature barrier discharge plasma at atmospheric pressure. The results of measurements of the wettability and resistance to external mechanical stress of the resulting thin films are presented. The properties of films deposited from tetraethoxysilane and hexamethyldisiloxane are compared.