Details
Title | Низкотемпературное плазмохимическое осаждение диэлектрических пленок при атмосферном давлении: научный доклад: направление подготовки 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи» ; направленность 11.06.01_03 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» |
---|---|
Creators | Биль Анастасия Сергеевна |
Scientific adviser | Александров Сергей Евгеньевич |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
Imprint | Санкт-Петербург, 2023 |
Collection | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
Subjects | Плазма (физ.) низкотемпературная; Пленки тонкие; Полимеры; Защитные покрытия; диэлектрический барьерный разряд; dielectric barrier discharge |
UDC | 533.915; 621.387.143; 538.975; 544.72; 539.216.2; 544.23/.25; 678.7; 621.793 |
Document type | Scientific report |
File type | Other |
Language | Russian |
Level of education | Graduate student |
Speciality code (FGOS) | 11.06.01 |
Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
Record key | ru\spstu\vkr\26322 |
Record create date | 10/19/2023 |
В работе описаны результаты исследования кинетики и физико-химических закономерности формирования тонких слоев состава SiOxCyHz на полимерных подложках в низкотемпературной плазме барьерного разряда при атмосферном давлении. Представлены результаты измерения смачиваемости и устойчивости полученных тонких слоев к внешним механическим воздействиям. Проведено сравнение свойств покрытий, осажденных из тетраэтоксисилана и гексаметилдисилоксана.
The manuscript describes the results of a study of the kinetics and physicochemical regularities of the formation of silica-like thin films on polymer substrates in a low temperature barrier discharge plasma at atmospheric pressure. The results of measurements of the wettability and resistance to external mechanical stress of the resulting thin films are presented. The properties of films deposited from tetraethoxysilane and hexamethyldisiloxane are compared.