Работа посвящена разработке многослойной маски из нитрида кремния для использования в технологии взрывной литографии. Построена модель зависимости скорости травления пленок нитрида кремния от их показателя преломления. Исследован профиль получаемых многослойных масок. Изготовлены танталовые резисторы на основе разработанной маски.
The work is devoted to the development of a multilayer silicon nitride mask for use in explosive lithography technology. A model of the dependence of the etching rate of silicon nitride films on their refractive index is constructed. The profile of the resulting multilayer masks is investigated. Tantalum resistors are manufactured on the basis of the developed mask.