Детальная информация
| Название | Разработка процесса получения многослойного диэлектрического покрытия на основе нитрида кремния для использования в технологии взрывной литографии: научный доклад: направление подготовки 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи» ; направленность 11.06.01_03 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» |
|---|---|
| Авторы | Каракчиев Сергей Валерьевич |
| Научный руководитель | Александров Сергей Евгеньевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2023 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Тематика | Кремний, нитриды; Диэлектрические покрытия; взрывная литография; маска для взрывной литографии; lift-off lithography; mask for lift-off lithography |
| УДК | 546.28'171.1; 621.793 |
| Тип документа | Научный доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Аспирантура |
| Код специальности ФГОС | 11.06.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Права доступа | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\26324 |
| Дата создания записи | 19.10.2023 |
Работа посвящена разработке многослойной маски из нитрида кремния для использования в технологии взрывной литографии. Построена модель зависимости скорости травления пленок нитрида кремния от их показателя преломления. Исследован профиль получаемых многослойных масок. Изготовлены танталовые резисторы на основе разработанной маски.
The work is devoted to the development of a multilayer silicon nitride mask for use in explosive lithography technology. A model of the dependence of the etching rate of silicon nitride films on their refractive index is constructed. The profile of the resulting multilayer masks is investigated. Tantalum resistors are manufactured on the basis of the developed mask.
