Details
| Title | Разработка процесса получения многослойного диэлектрического покрытия на основе нитрида кремния для использования в технологии взрывной литографии: научный доклад: направление подготовки 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи» ; направленность 11.06.01_03 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» |
|---|---|
| Creators | Каракчиев Сергей Валерьевич |
| Scientific adviser | Александров Сергей Евгеньевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2023 |
| Collection | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Subjects | Кремний, нитриды; Диэлектрические покрытия; взрывная литография; маска для взрывной литографии; lift-off lithography; mask for lift-off lithography |
| UDC | 546.28'171.1; 621.793 |
| Document type | Scientific report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| Level of education | Graduate student |
| Speciality code (FGOS) | 11.06.01 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Record key | ru\spstu\vkr\26324 |
| Record create date | 10/19/2023 |
Работа посвящена разработке многослойной маски из нитрида кремния для использования в технологии взрывной литографии. Построена модель зависимости скорости травления пленок нитрида кремния от их показателя преломления. Исследован профиль получаемых многослойных масок. Изготовлены танталовые резисторы на основе разработанной маски.
The work is devoted to the development of a multilayer silicon nitride mask for use in explosive lithography technology. A model of the dependence of the etching rate of silicon nitride films on their refractive index is constructed. The profile of the resulting multilayer masks is investigated. Tantalum resistors are manufactured on the basis of the developed mask.
