Детальная информация
| Название | Поглощение и преломление излучения в полупроводниковых наноструктурах при межподзонных переходах носителей заряда: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_07 «Физика полупроводников» |
|---|---|
| Авторы | Граф Сергей Владимирович |
| Научный руководитель | Фирсов Дмитрий Анатольевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2024 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Тематика | квантовые ямы; межподзонные переходы; поглощение света; quantum wells; intersubband transitions; absorption of light |
| Тип документа | Научный доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Аспирантура |
| Код специальности ФГОС | 03.06.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| Права доступа | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\33910 |
| Дата создания записи | 08.10.2024 |
В данной работе описан эффект увлечения фотонов потоком электронов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Описана методика эксперимента по измерению величины эффекта и представлены результаты эксперимента. Теоретически рассчитана зависимость эффекта от плотности тока и длины волны света. Проведено сравнение экспериментальных и теоретических результатов.
This paper describes the current induced drag of photons in GaAs/AlGaAs quantum wells. Experimental methodology on measuring the effect is described and experimental results are presented. Dependence of the effect on the current junction and the wavelength is calculated theoretically. The experimental results and the theoretical calculations are compared.
