Details
| Title | Поглощение и преломление излучения в полупроводниковых наноструктурах при межподзонных переходах носителей заряда: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_07 «Физика полупроводников» |
|---|---|
| Creators | Граф Сергей Владимирович |
| Scientific adviser | Фирсов Дмитрий Анатольевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2024 |
| Collection | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Subjects | квантовые ямы; межподзонные переходы; поглощение света; quantum wells; intersubband transitions; absorption of light |
| Document type | Scientific report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| Level of education | Graduate student |
| Speciality code (FGOS) | 03.06.01 |
| Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
| Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Additionally | New arrival |
| Record key | ru\spstu\vkr\33910 |
| Record create date | 10/8/2024 |
В данной работе описан эффект увлечения фотонов потоком электронов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Описана методика эксперимента по измерению величины эффекта и представлены результаты эксперимента. Теоретически рассчитана зависимость эффекта от плотности тока и длины волны света. Проведено сравнение экспериментальных и теоретических результатов.
This paper describes the current induced drag of photons in GaAs/AlGaAs quantum wells. Experimental methodology on measuring the effect is described and experimental results are presented. Dependence of the effect on the current junction and the wavelength is calculated theoretically. The experimental results and the theoretical calculations are compared.
