Детальная информация
| Название | Ионно-лучевая модификация свойств оксида галлия: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_04 «Физическая электроника» |
|---|---|
| Авторы | Клевцов Антон Игоревич |
| Научный руководитель | Титов Андрей Иванович ; Карасев Платон Александрович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Физико-механический институт |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2025 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Тематика | силовая электроника ; оксид галлия ; альфа-оксид галлия ; ионная имплантация ; ионное облучение ; радиационные повреждения ; инженерия дефектов ; каскады столкновений ; последовательное облучение ; резерфордовское обратное рассеяние ; power electronics ; gallium oxide ; alpha gallium oxide ; ion implantation ; ion irradiation ; radiation damage ; defect engineering ; collision cascades ; sequential irradiation ; rutherford backscattering |
| Тип документа | Научный доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Аспирантура |
| Код специальности ФГОС | 03.06.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| Права доступа | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\39384 |
| Дата создания записи | 15.10.2025 |
В данной работе исследованы процессы накопления радиационных повреждений в альфа оксиде галлия при ионной бомбардировке с различными параметрами. Показаны особенности профилей распределения дефектов. Впервые для альфа оксида галлия показан механизм влияния плотности каскадов столкновений на накопление повреждений. Показана некоммутативность последовательного облучения впервые для альфа оксида галлия. Впервые обнаружен промежуточный пик дефектов в альфа оксиде галлия.
In this paper the accumulation of radiation damage in alpha gallium oxide under ion bombardment with various parameters is investigated. Features of the defect distribution profiles are demonstrated. For the first time, the mechanism by which collision cascade density influences damage accumulation is demonstrated for alpha gallium oxide. Non-commutativity of sequential irradiation is demonstrated for the first time for alpha gallium oxide. An intermediate defect peak is detected for the first time in alpha gallium oxide.
