Details
| Title | Ионно-лучевая модификация свойств оксида галлия: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_04 «Физическая электроника» |
|---|---|
| Creators | Клевцов Антон Игоревич |
| Scientific adviser | Титов Андрей Иванович ; Карасев Платон Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Физико-механический институт |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2025 |
| Collection | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Subjects | силовая электроника ; оксид галлия ; альфа-оксид галлия ; ионная имплантация ; ионное облучение ; радиационные повреждения ; инженерия дефектов ; каскады столкновений ; последовательное облучение ; резерфордовское обратное рассеяние ; power electronics ; gallium oxide ; alpha gallium oxide ; ion implantation ; ion irradiation ; radiation damage ; defect engineering ; collision cascades ; sequential irradiation ; rutherford backscattering |
| Document type | Scientific report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| Level of education | Graduate student |
| Speciality code (FGOS) | 03.06.01 |
| Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
| Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Additionally | New arrival |
| Record key | ru\spstu\vkr\39384 |
| Record create date | 10/15/2025 |
В данной работе исследованы процессы накопления радиационных повреждений в альфа оксиде галлия при ионной бомбардировке с различными параметрами. Показаны особенности профилей распределения дефектов. Впервые для альфа оксида галлия показан механизм влияния плотности каскадов столкновений на накопление повреждений. Показана некоммутативность последовательного облучения впервые для альфа оксида галлия. Впервые обнаружен промежуточный пик дефектов в альфа оксиде галлия.
In this paper the accumulation of radiation damage in alpha gallium oxide under ion bombardment with various parameters is investigated. Features of the defect distribution profiles are demonstrated. For the first time, the mechanism by which collision cascade density influences damage accumulation is demonstrated for alpha gallium oxide. Non-commutativity of sequential irradiation is demonstrated for the first time for alpha gallium oxide. An intermediate defect peak is detected for the first time in alpha gallium oxide.
