Детальная информация
| Название | Низкочастотные шумы в СВЧ-приборах на широкозонных полупроводниках GaN и SiC: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_03 «Радиофизика» |
|---|---|
| Авторы | Чернова Анастасия Сергеевна |
| Научный руководитель | Сороцкий Владимир Александрович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2025 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Тематика | Электронные приборы — Шумы ; Электронные приборы сверхвысокочастотные ; Полупроводниковые приборы — Шумы ; низкочастотный шум ; избыточный шум ; электронное облучение ; измерение низкочастотного шума ; low frequency noise ; excessive noise ; electronic irradiation ; measurement of low frequency noise |
| УДК | 621.382:621.391.822 ; 621.385.6 |
| Тип документа | Научный доклад |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Аспирантура |
| Код специальности ФГОС | 03.06.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| Права доступа | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\39390 |
| Дата создания записи | 15.10.2025 |
В работе рассматриваются низкочастотные шумы нелегированных AlGaN/GaN HEMT. Предложен микроволновый метод измерения низкочастотных шумов тока стока СВЧ-транзисторов. В AlGaN/GaN HEMT обнаружен интенсивный источник избыточного низкочастотного шума, природа которого объясняется статическим пробоем слоя AlGaN со стороны стока. Обсуждается поведение низкочастотных шумов нелегированных AlGaN/GaN HEMT и SiC pin-диодов при облучении потоком электронов (0.9 МэВ) в условиях последовательного накопления дозы.
The paper considers low-frequency noise of undoped AlGaN/GaN HEMT. A microwave method for measuring low-frequency noise of the drain current of microwave transistors is proposed. An intense source of excessive low-frequency noise was detected in AlGaN/GaN HEMT, the nature of which is explained by static breakdown of the AlGaN layer from the drain. The behavior of low-frequency noise of undoped AlGaN/GaN HEMT and SiC pin diodes under irradiation with an electron flux (0.9 MeV) with conditions of sequential dose accumulation is discussed.
