Details
| Title | Низкочастотные шумы в СВЧ-приборах на широкозонных полупроводниках GaN и SiC: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_03 «Радиофизика» |
|---|---|
| Creators | Чернова Анастасия Сергеевна |
| Scientific adviser | Сороцкий Владимир Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2025 |
| Collection | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Subjects | Электронные приборы — Шумы ; Электронные приборы сверхвысокочастотные ; Полупроводниковые приборы — Шумы ; низкочастотный шум ; избыточный шум ; электронное облучение ; измерение низкочастотного шума ; low frequency noise ; excessive noise ; electronic irradiation ; measurement of low frequency noise |
| UDC | 621.382:621.391.822 ; 621.385.6 |
| Document type | Scientific report |
| Language | Russian |
| Level of education | Graduate student |
| Speciality code (FGOS) | 03.06.01 |
| Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
| Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Record key | ru\spstu\vkr\39390 |
| Record create date | 10/15/2025 |
В работе рассматриваются низкочастотные шумы нелегированных AlGaN/GaN HEMT. Предложен микроволновый метод измерения низкочастотных шумов тока стока СВЧ-транзисторов. В AlGaN/GaN HEMT обнаружен интенсивный источник избыточного низкочастотного шума, природа которого объясняется статическим пробоем слоя AlGaN со стороны стока. Обсуждается поведение низкочастотных шумов нелегированных AlGaN/GaN HEMT и SiC pin-диодов при облучении потоком электронов (0.9 МэВ) в условиях последовательного накопления дозы.
The paper considers low-frequency noise of undoped AlGaN/GaN HEMT. A microwave method for measuring low-frequency noise of the drain current of microwave transistors is proposed. An intense source of excessive low-frequency noise was detected in AlGaN/GaN HEMT, the nature of which is explained by static breakdown of the AlGaN layer from the drain. The behavior of low-frequency noise of undoped AlGaN/GaN HEMT and SiC pin diodes under irradiation with an electron flux (0.9 MeV) with conditions of sequential dose accumulation is discussed.
