В докладе рассмотрены технологические особенности получения полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Полученные данные экспериментально применены для эпитаксиального роста гетероструктур на основе GaN/InAlN с двумерным электронным газом.

The report examines the technological features of semiconductor heterostructures by molecular beam epitaxy. The obtained data are experimentally applied to the epitaxial growth of heterostructures based on GaN/InAlN with a two-dimensional electron gas.