Details
| Title | Особенности получения приборных гетероструктур на основе материалов III - N: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_07 «Физика полупроводников» |
|---|---|
| Creators | Новиков Сергей Андреевич |
| Scientific adviser | Рыков Сергей Александрович |
| Other creators | Краснова Надежда Константиновна |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2021 |
| Collection | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Subjects | Полупроводниковые структуры; Кристаллы — Рост; молекулярно-лучевая эпитаксия; эпитаксиальный рост; гетероструктуры; molecular beam epitaxy; epitaxial growth; heterostructures |
| UDC | 537.311.322; 548.5 |
| Document type | Scientific report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| Level of education | Graduate student |
| Speciality code (FGOS) | 03.06.01 |
| Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
| Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Record key | ru\spstu\vkr\15095 |
| Record create date | 10/15/2021 |
В докладе рассмотрены технологические особенности получения полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Полученные данные экспериментально применены для эпитаксиального роста гетероструктур на основе GaN/InAlN с двумерным электронным газом.
The report examines the technological features of semiconductor heterostructures by molecular beam epitaxy. The obtained data are experimentally applied to the epitaxial growth of heterostructures based on GaN/InAlN with a two-dimensional electron gas.
