Детальная информация

Название: Исследование пропускной способности оптического канала с приемником информации в виде кремниевого фотоэлектронного умножителя // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2022. – С. 52-58
Авторы: Залесский В. Б.; Гулаков И. Р.; Зеневич А. О.; Кочергина О. В.; Цымбал В. С.
Выходные сведения: 2022
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Радиоэлектроника; Фотоэлектрические приборы; фотоэлектронные умножители; кремниевые фотоэлектронные умножители; приемники информации; оптические каналы; пропускная способность оптических каналов; оптическое излучение; вакуумные фотоэлектронные умножители; photoelectronic multipliers; silicon photoelectronic multipliers; information receivers; optical channels; bandwidth of optical channels; optical radiation; vacuum photoelectronic multipliers
УДК: 621.383
ББК: 32.854
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-1-50-58
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\68436

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

При реализации такой технологии передачи данных, как Li-Fi, требуются фотоприемники, чувствительные к оптическому излучению в видимом диапазоне длин волн. Лучшую чувствительность в этом диапазоне длин волн проявляют вакуумные фотоэлектронные умножители. Однако они имеют большие габариты, высокие напряжения питания и являются достаточно хрупкими. Альтернатива вакуумным фотоэлектронным умножителям - кремниевые фотоэлектронные умножители (Si-ФЭУ), характеризующиеся хорошей чувствительностью в видимом диапазоне длин волн. В работе исследована пропускная способность оптического канала связи с приемником информации в виде Si-ФЭУ. Получено, что наибольшее значение пропускной способности соответствует значению напряжения питания, равному напряжению пробоя Si-ФЭУ и длине волны оптического излучения 470 нм. Установлено, что повышение температуры приводит к уменьшению пропускной способности фотоприемника, а увеличение энергетической экспозиции оптических импульсов - к росту пропускной способности. Полученные результаты могут быть использованы при разработке оптических систем связи.

The implementation of such technology of data transmission as Li-Fi requires photodetectors that are optically sensitive in the visible range of wavelengths. The photomultiplier tubes are characterized by highest sensibility in this wavelength range, but also by large size, higher power supply voltage, and frangibility. An alternative to the mentioned type of photodetectors is a silicon photomultiplier tube (Si-PMT) characterized by good sensibility in the visible range of wavelengths. In this work, the throughput of an optical communication channel with an information receiver in the form of a Si-PMT is investigated. As a result, it was found that the highest throughput value corresponded to the supply voltage value equal to the breakdown voltage of the Si-PMT, and to the optical radiation wavelengths of 470 nm. It has been established that an increase in temperature causes a decrease in the transmission capacity of the photodetector, and an increase in the optical pulses’ radiant exposure leads to an increase in the transmission capacity. The results obtained can be used in the development of optical communication systems.

Статистика использования

stat Количество обращений: 41
За последние 30 дней: 6
Подробная статистика