Детальная информация

На сегодняшний день наиболее используемым типом сенсоров паров этанола являются резистивные газовые сенсоры на основе полупроводников. Применение в качестве чувствительной структуры пористого кремния, например por-Si/Pd, сформированной металл-стимулированным травлением, позволяет формировать чувствительный элемент и электронную обвязку в едином технологическом процессе. В работе показана возможность формирования резистивных газовых сенсоров методом металл-стимулированного химического травления кремния. Сформированы экспериментальные образцы на основе пористого кремния p- и n-типа проводимости. Представлено эмпирическое объяснение механизма чувствительности к этанолу исследуемых структур. Показана возможность формирования чувствительной структуры и электронной обвязки в едином технологическом процессе.

Today, the most widely used type of ethanol vapor sensors are resistive gas sensors based on semiconductors. The use of a porous silicon, e. g. por-Si/Pd, formed by metal-stimulated etching, as sensitive structure allows the formation of a sensitive element and an electronic binding in a single technological process. In this work, the possibility of forming resistive gas sensors by metal-stimulated chemical etching of silicon is shown. Experimental samples based on porous silicon of p and n type of conductivity have been formed. An empirical explanation of the mechanism of the studied structures’ sensitivity to ethanol is presented. The possibility of forming a sensitive structure and electronic binding in a single technological process is shown.