Детальная информация

Название: Исследование влияния электрического переходного процесса на результаты измерения теплового сопротивления ИС косвенным методом на основе термочувствительного параметра // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – С. 79-87
Авторы: Белов Е. Н.; Королёв М. А.
Выходные сведения: 2023
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; интегральные микросхемы; тепловое сопротивление; измерение теплового сопротивления; электрические переходные процессы; термочувствительные параметры; теплоотводы; измерительные импульсы; integrated circuits; thermal resistance; thermal resistance measurement; electrical transients; thermosensitive parameters; heat sinks; measuring pulses
УДК: 621.3
ББК: 31.264-04
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
DOI: 10.24151/1561-5405-2023-28-1-79-87
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\70874

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

При проектировании теплоотвода мощных ИС, а также ИС специального назначения и при расчете длительности ускоренных испытаний на надежность и долговечность применяется такой параметр, как тепловое сопротивление. Данный параметр измеряется различными методами. В работе рассмотрен метод измерения теплового сопротивления системы кристалл - корпус микросхемы, основанный на использовании термочувствительного параметра для контроля температуры кристалла. Особенность рассматриваемого метода - определение задержки между греющими и измерительными импульсами. Экспериментально показано, что электрический переходной процесс по окончании греющего импульса может длиться от десятков до сотен микросекунд. Исследовано влияние задержки измерительного импульса на точность измерения теплового сопротивления методом постоянной температуры кристалла для разных типономиналов схем. Установлено, что для схем с большими габаритами, имеющими низкое значение теплового сопротивления, минимизация задержки несущественна.

Thermal resistance is a microcircuit parameter used in the development of a heat sink for powerful ICs, special purposes ICs, as well as in computation of the accelerated tests for reliability and durability. Various methods of thermal resistance measuring are known. In this work, a method of measuring the thermal resistance of a chip-package system based on the use of a thermally sensitive parameter to control the temperature of the chip is considered. The peculiarity of this method is determined by the delay between the heating and measuring pulses. It was shown by experiments that the electrical transient process at the end of the heating pulse can last from tens to hundreds of microseconds. The measuring pulse delay effect on the accuracy of the thermal resistance measurements was studied for different types of circuits by the method of the crystal’s constant temperature. It has been established that for circuits with large crystal size and low value of thermal resistance, delay minimization is insignificant.

Статистика использования

stat Количество обращений: 115
За последние 30 дней: 7
Подробная статистика