Детальная информация

Название: Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника // Оптика и спектроскопия. – 2023. – С. 965-972
Авторы: Кузнецова И. А.; Савенко О. В.
Выходные сведения: 2023
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Физика; Физическая оптика; Физика полупроводников и диэлектриков; электромагнитные Н-волны; наноструктуры; диэлектрики; полупроводники; структура полупроводников; зонная структура полупроводников; анизотропия полупроводников
УДК: 535.2/3; 537.311.33
ББК: 22.343; 22.379
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
DOI: 10.21883/OS.2023.07.56132.4865-23
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\71795

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

Решена задача о взаимодействии электромагнитной Н-волны со слоистой наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик". Толщина полупроводникового слоя может быть сравнима или меньше длины волны де Бройля носителя заряда. Поверхностное рассеяние носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Предполагается, что частота электромагнитной волны меньше частоты плазменного резонанса. В рассматриваемом случае поверхность постоянной энергии представляет собой эллипсоид вращения. Получены аналитические выражения для коэффициентов отражения, пропускания и поглощения. Выполнены расчеты для предельных случаев вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен анализ зависимостей оптических коэффициентов от безразмерных параметров: толщины полупроводникового слоя, частоты и угла падения электромагнитной волны, химического потенциала, параметра эллиптичности, диэлектрических проницаемостей изолирующих слоев и параметров шероховатости границ раздела "полупроводник-диэлектрик".

Статистика использования

stat Количество обращений: 13
За последние 30 дней: 3
Подробная статистика