Details

Title: Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника // Оптика и спектроскопия. – 2023. – С. 965-972
Creators: Кузнецова И. А.; Савенко О. В.
Imprint: 2023
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Физическая оптика; Физика полупроводников и диэлектриков; электромагнитные Н-волны; наноструктуры; диэлектрики; полупроводники; структура полупроводников; зонная структура полупроводников; анизотропия полупроводников
UDC: 535.2/3; 537.311.33
LBC: 22.343; 22.379
Document type: Article, report
File type: Other
Language: Russian
DOI: 10.21883/OS.2023.07.56132.4865-23
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: RU\SPSTU\edoc\71795

Allowed Actions: View

Annotation

Решена задача о взаимодействии электромагнитной Н-волны со слоистой наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик". Толщина полупроводникового слоя может быть сравнима или меньше длины волны де Бройля носителя заряда. Поверхностное рассеяние носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Предполагается, что частота электромагнитной волны меньше частоты плазменного резонанса. В рассматриваемом случае поверхность постоянной энергии представляет собой эллипсоид вращения. Получены аналитические выражения для коэффициентов отражения, пропускания и поглощения. Выполнены расчеты для предельных случаев вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен анализ зависимостей оптических коэффициентов от безразмерных параметров: толщины полупроводникового слоя, частоты и угла падения электромагнитной волны, химического потенциала, параметра эллиптичности, диэлектрических проницаемостей изолирующих слоев и параметров шероховатости границ раздела "полупроводник-диэлектрик".

Usage statistics

stat Access count: 13
Last 30 days: 3
Detailed usage statistics