Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Посмотреть |
Аннотация
Экспериментально исследовано снижение внешней квантовой эффективности (ВКЭ) коммерческих светодиодов на основе квантоворазмерных структур InGaN/GaN на длину волны 445, 530 и AlGaN/GaN на 280 nm в стандартном режиме старения на постоянном токе. Выяснено, что снижение ВКЭ светодиодов (не зависимо от длины волны излучения) происходит в результате кооперативных явлений, развивающихся в 1-2 квантовых ямах (КЯ), находящихся в области объемного заряда (ООЗ) p-n-перехода, а также в большей части КЯ вне ООЗ. Показано, что неоднородное протекание тока в этих областях приводит не только к трансформации дефектов, локализованных на гетерограницах в ООЗ и в латеральных неоднородностях состава твердого раствора вне ООЗ, а также в протяженных дефектах, но и к изменению состава.
Входит в состав
Статистика использования
Количество обращений: 7
За последние 30 дней: 2 Подробная статистика |