Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: View |
Annotation
Экспериментально исследовано снижение внешней квантовой эффективности (ВКЭ) коммерческих светодиодов на основе квантоворазмерных структур InGaN/GaN на длину волны 445, 530 и AlGaN/GaN на 280 nm в стандартном режиме старения на постоянном токе. Выяснено, что снижение ВКЭ светодиодов (не зависимо от длины волны излучения) происходит в результате кооперативных явлений, развивающихся в 1-2 квантовых ямах (КЯ), находящихся в области объемного заряда (ООЗ) p-n-перехода, а также в большей части КЯ вне ООЗ. Показано, что неоднородное протекание тока в этих областях приводит не только к трансформации дефектов, локализованных на гетерограницах в ООЗ и в латеральных неоднородностях состава твердого раствора вне ООЗ, а также в протяженных дефектах, но и к изменению состава.
Included in
Usage statistics
|
Access count: 7
Last 30 days: 2 Detailed usage statistics |