Детальная информация
| Название | Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения |
|---|---|
| Авторы | Таперо К. И.; Улимов В. Н.; Членов А. М. |
| Выходные сведения | Москва: Лаборатория знаний, 2014 |
| Коллекция | ЭБС "Айбукс.ру/ibooks.ru"; Общая коллекция |
| Тематика | Микроэлектронные схемы интегральные |
| УДК | 621.3.049.77 |
| Тип документа | Другой |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\IBOOK\books\350101 |
| Дата создания записи | 27.07.2020 |
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Количество обращений: 16
За последние 30 дней: 1
