Детальная информация
| Название | Оптические свойства пиролитического нитрида кремния SiN[x], обогащённого кремнием // Оптика и спектроскопия. – 2022. – С. 1718-1722 |
|---|---|
| Авторы | Перевалов Т. В.; Спесивцев Е. В.; Рыхлицкий С. В.; Бобовников П. Г.; Красников Г. Я.; Гриценко В. А. |
| Выходные сведения | 2022 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; нитрид кремния; пиролитический нитрид кремния; оптические свойства; обогащение кремнием; мемристоры; коэффициент поглощения; квантово-химическое моделирование |
| УДК | 537.311.33 |
| ББК | 22.379 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.21883/OS.2022.11.53779.3834-22 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\69684 |
| Дата создания записи | 12.01.2023 |
Нестехиометрический нитрид кремния SiN[x], обогащённый кремнием, является перспективным материалом для разработки энергонезависимой мемристорной памяти. В работе изучаются оптические свойства SiN[x], синтезированного в реакторе пониженного давления при 800 С при разных соотношения дихлорсилана (SiH[2]Cl[2]) к аммиаку (NH[3]). Установлено, что для плёнок, синтезированных при отношении SiH[2]Cl[2]/NH[3]=1/1, 1/2 и 1/3, соответствующие значения ширины запрещённой зоны составляют 3.83, 4.17 и 4.40 eV. При этом соответствующие значения параметра x, найденные по рассчитанной из первых принципов зависимости значения ширины запрещённой зоны SiN]x[ от x, составляют 1.26, 1.30 и 1.32. Таким образом, увеличивая отношение SiH[2]Cl[2]/NH[3], можно создавать нестехиометрические плёнки SiN[x] с контролируемой степенью обогащения кремнием при высокой однородности химического состава и толщины.
Количество обращений: 22
За последние 30 дней: 3
