Нестехиометрический нитрид кремния SiN[x], обогащённый кремнием, является перспективным материалом для разработки энергонезависимой мемристорной памяти. В работе изучаются оптические свойства SiN[x], синтезированного в реакторе пониженного давления при 800 С при разных соотношения дихлорсилана (SiH[2]Cl[2]) к аммиаку (NH[3]). Установлено, что для плёнок, синтезированных при отношении SiH[2]Cl[2]/NH[3]=1/1, 1/2 и 1/3, соответствующие значения ширины запрещённой зоны составляют 3.83, 4.17 и 4.40 eV. При этом соответствующие значения параметра x, найденные по рассчитанной из первых принципов зависимости значения ширины запрещённой зоны SiN]x[ от x, составляют 1.26, 1.30 и 1.32. Таким образом, увеличивая отношение SiH[2]Cl[2]/NH[3], можно создавать нестехиометрические плёнки SiN[x] с контролируемой степенью обогащения кремнием при высокой однородности химического состава и толщины.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 130, № 11, 2022. — (22 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=50006366>.