Измерен оптический отклик халькогенидных стекол состава Ga[5]Ge[20]Sb[10]Se[65], легированных ионами редкоземельных элементов Tb{3+} или Dy{3+}, в области длин волн 0.7-1.5 mum методом инфракрасной (ИК) спектроскопии. Рассчитаны параметры, характеризующие край полосы фундаментального поглощения стекол: оптическая ширина запрещенной зоны, параметры области Урбаха и области слабого поглощения. Установлено, что легирование в малых концентрациях (до 0.3 wt%) не влияет на оптические свойства стекол в области Урбаха и ширину запрещенной зоны, но в области слабого поглощения оптический отклик стекол зависит от концентрации активатора. Кристаллизация стекол, полученных методом прямого плавления, также зависит от концентрации активатора. В стеклах, легированных ионами Dy{3+}, полосы поглощения иона находятся в области слабого поглощения стекла, что делает возможным передачу энергии между ионами и связанными состояниями носителей заряда в запрещенной зоне.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 131, № 1, 2023. — (20 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=50321153>.