Details
Title | Оптические свойства халькогенидных стекол системы Ga-Ge-Sb-Se, легированных ионами тербия и диспрозия, вблизи края полосы фундаментального поглощения // Оптика и спектроскопия. – 2023. – С. 15-24 |
---|---|
Creators | Кузюткина Ю. С.; Паршина Н. Д.; Романова Е. А.; Кочубей В. И.; Суханов М. В.; Кеткова Л. А.; Ширяев В. С. |
Imprint | 2023 |
Collection | Общая коллекция |
Subjects | Физика; Оптические свойства твердых тел; халькогенидные стекла; оптические свойства стекол; легированные стекла; легирование ионами тербия; легирование ионами диспрозия; полоса фундаментального поглощения; редкоземельные элементы |
UDC | 539.21:535 |
LBC | 22.374 |
Document type | Article, report |
File type | Other |
Language | Russian |
DOI | 10.21883/OS.2023.01.54532.4083-22 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\70939 |
Record create date | 6/1/2023 |
Измерен оптический отклик халькогенидных стекол состава Ga[5]Ge[20]Sb[10]Se[65], легированных ионами редкоземельных элементов Tb{3+} или Dy{3+}, в области длин волн 0.7-1.5 mum методом инфракрасной (ИК) спектроскопии. Рассчитаны параметры, характеризующие край полосы фундаментального поглощения стекол: оптическая ширина запрещенной зоны, параметры области Урбаха и области слабого поглощения. Установлено, что легирование в малых концентрациях (до 0.3 wt%) не влияет на оптические свойства стекол в области Урбаха и ширину запрещенной зоны, но в области слабого поглощения оптический отклик стекол зависит от концентрации активатора. Кристаллизация стекол, полученных методом прямого плавления, также зависит от концентрации активатора. В стеклах, легированных ионами Dy{3+}, полосы поглощения иона находятся в области слабого поглощения стекла, что делает возможным передачу энергии между ионами и связанными состояниями носителей заряда в запрещенной зоне.
Access count: 130
Last 30 days: 2