Details

Title: Оптические свойства халькогенидных стекол системы Ga-Ge-Sb-Se, легированных ионами тербия и диспрозия, вблизи края полосы фундаментального поглощения // Оптика и спектроскопия. – 2023. – С. 15-24
Creators: Кузюткина Ю. С.; Паршина Н. Д.; Романова Е. А.; Кочубей В. И.; Суханов М. В.; Кеткова Л. А.; Ширяев В. С.
Imprint: 2023
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Оптические свойства твердых тел; халькогенидные стекла; оптические свойства стекол; легированные стекла; легирование ионами тербия; легирование ионами диспрозия; полоса фундаментального поглощения; редкоземельные элементы
UDC: 539.21:535
LBC: 22.374
Document type: Article, report
File type: Other
Language: Russian
DOI: 10.21883/OS.2023.01.54532.4083-22
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: RU\SPSTU\edoc\70939

Allowed Actions: View

Annotation

Измерен оптический отклик халькогенидных стекол состава Ga[5]Ge[20]Sb[10]Se[65], легированных ионами редкоземельных элементов Tb{3+} или Dy{3+}, в области длин волн 0.7-1.5 mum методом инфракрасной (ИК) спектроскопии. Рассчитаны параметры, характеризующие край полосы фундаментального поглощения стекол: оптическая ширина запрещенной зоны, параметры области Урбаха и области слабого поглощения. Установлено, что легирование в малых концентрациях (до 0.3 wt%) не влияет на оптические свойства стекол в области Урбаха и ширину запрещенной зоны, но в области слабого поглощения оптический отклик стекол зависит от концентрации активатора. Кристаллизация стекол, полученных методом прямого плавления, также зависит от концентрации активатора. В стеклах, легированных ионами Dy{3+}, полосы поглощения иона находятся в области слабого поглощения стекла, что делает возможным передачу энергии между ионами и связанными состояниями носителей заряда в запрещенной зоне.

Usage statistics

stat Access count: 128
Last 30 days: 6
Detailed usage statistics