Развитие полупроводниковой интегральной технологии и переход к нанометровому разрешению литографического процесса обусловили разработку полупроводниковых автоэмиссионных структур. Однако широкого внедрения в производство и коммерциализации комплекс технологий изготовления автоэмиссионных устройств в настоящее время не получил из-за их малого срока эксплуатации и недостаточной стабильности работы. В работе проведен сравнительный анализ полученных на сегодняшний день значимых результатов по разработке полупроводниковых автоэмиссионных структур с наноразмерным каналом проводимости с целью оценки текущего состояния и перспектив дальнейшего развития вакуумной наноэлектроники. Проанализированы технологические и эксплуатационные проблемы разработки автоэмиссионных триодных наноразмерных структур с применением различных полупроводниковых материалов. Показаны достигнутые успехи в области интеграции наноразмерных автоэмиссионных структур со стандартными КМОП-транзисторами. Рассмотрены возможные сферы применения структур вакуумной наноэлектроники. Описаны актуальные задачи данной научной отрасли, а также проблемы, возникающие в процессе внедрения элементной базы вакуумной наноэлектроники в цикл разработки и коммерциализации технологии вакуумных ИС.

The advances in semiconductor integrated technology and transition to nanometer resolution in lithography process have given rise to semiconductor field emission structures development. However, nowadays the suite of field emission devices technology has got neither large-scale manufacturing application nor commercialization due to their short useful life and insufficient operational stability. In this work, a comparative analysis of the significant results obtained to date in the development of semiconductor field emission devices with a nanoscale conduction channel is carried out to evaluate the current state and prospects for further development of vacuum nanoelectronics. The technological and operational problems of developing field emission triode structures using various semiconductor materials have been analyzed. The progress achieved in the field of integration of nanoscale field emission devices with standard CMOS transistors is shown. Possible areas of application of vacuum nanoelectronic devices are considered. The urgent tasks of this scientific industry, as well as the problems that arise in the process of introducing the element base of vacuum nanoelectronics into the development and commercialization cycle of vacuum IC technology are described.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 6 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7821>.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. Т. 28, № 5, 2023. — (14 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=54683297>.