Исследованы спектры испускания (700-1000 nm) и поглощения (200-800 nm) кристаллов LiF и LiF : ОН, облученных в реакторе и подвергнутых воздействию ультрафиолетового света, в том числе и совмещенного с механической нагрузкой. Цель работы - изучение характера поведения лазерных центров окраски в указанных системах. В диапазоне 710-825 nm наблюдаются диаметрально противоположные результаты: высокая устойчивость F[4]-подобных центров в "чистом" LiF и резкое их разрушение в кристаллах LiF : ОН. В то же время в обеих группах разрушаются центры F[3] и F[4] и интенсивно накапливаются лазерные центры F[2]{+} и F[3]{-} (825-925 nm). При последующей выдержке в условиях комнатной температуры и темноты наблюдается самопроизвольный распад лазерных центров, сопровождаемый ростом концентрации F[4]-подобных центров и восстановлением микроструктуры облученных кристаллов.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 130, № 3, 2022. — (18 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=48281180>.