Details
| Title | Влияние ультрафиолетового света на люминесценцию (700-1000 nm) кристаллов LiF и LiF : ОН, облученных в ядерном реакторе // Оптика и спектроскопия. – 2022. – С. 359-364 |
|---|---|
| Creators | Квачадзе В. Г.; Абрамишвили М. Г.; Абрамишвили Г. Г.; Ахвледиани З. Г.; Галусташвили М. В.; Деканозишвили Г. Г.; Тавхелидзе В. М. |
| Imprint | 2022 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика; Люминесценция; ультрафиолетовый свет; кристаллы; облученные кристаллы; ядерные реакторы; фотолюминесценция; лазерные центры окраски; микроструктура кристаллов |
| UDC | 535.37 |
| LBC | 22.345 |
| Document type | Article, report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| DOI | 10.21883/OS.2022.03.52162.2160-21 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\68542 |
| Record create date | 7/7/2022 |
Исследованы спектры испускания (700-1000 nm) и поглощения (200-800 nm) кристаллов LiF и LiF : ОН, облученных в реакторе и подвергнутых воздействию ультрафиолетового света, в том числе и совмещенного с механической нагрузкой. Цель работы - изучение характера поведения лазерных центров окраски в указанных системах. В диапазоне 710-825 nm наблюдаются диаметрально противоположные результаты: высокая устойчивость F[4]-подобных центров в "чистом" LiF и резкое их разрушение в кристаллах LiF : ОН. В то же время в обеих группах разрушаются центры F[3] и F[4] и интенсивно накапливаются лазерные центры F[2]{+} и F[3]{-} (825-925 nm). При последующей выдержке в условиях комнатной температуры и темноты наблюдается самопроизвольный распад лазерных центров, сопровождаемый ростом концентрации F[4]-подобных центров и восстановлением микроструктуры облученных кристаллов.
Access count: 94
Last 30 days: 3
