Details

Title Влияние электрического поля на фазовые переходы в твердых растворах антисегнетоэлектрик-сегнетоэлектрик: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_04 «Физическая электроника»
Creators Удовенко Станислав Александрович
Scientific adviser Вахрушев Сергей Борисович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2022
Collection Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects Сегнетоэлектрики; Электрическое поле; Фазовые переходы; Синхротронное излучение; антисегнетоэлектрики; диффузное рассеяние; доменная структура; антифазные доменные границы; antiferroelectrics; diffuse scattering; domain structure; antiphase domain boundaries
UDC 537.212; 537.226.4; 621.384.633.6
Document type Scientific report
File type Other
Language Russian
Level of education Graduate student
Speciality code (FGOS) 03.06.01
Speciality group (FGOS) 030000 - Физика и астрономия
Rights Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141
Record key ru\spstu\vkr\17967
Record create date 11/2/2022

В работе исследуются механизмы влияния умеренных электрических полей на процессы, сопровождающие фазовые переходы в твердом растворе антисегнетоэлектрик-сегнетоэлектрик цирконате-титанате свинца, с содержанием титана 2.4%. Показана возможность управления конфигурацией антисегнетоэлектрических доменов и антифазных доменных стенок в низкотемпературной фазе. Проанализирована предпереходовая критическая динамика решетки в случае приложенного электрического поля и при отсутствии поля. Разработана специализированная ячейка образца, позволяющая прикладывать электрические поля до 10 кВ/см в широком температурном диапазоне.

The paper is dedicated to research of mechanisms of the influence of moderate electric fields on the processes accompanying phase transitions in an antiferroelectric-ferroelectric lead zirconate-titanate solid solution with a titanium content of 2.4. The possibility of controlling the configuration of antiferroelectric domains and antiphase domain walls in the low-temperature phase is shown. The pretransition critical lattice dynamics is analyzed in the case of an applied electric field and in the absence of a field. A specialized sample cell has been developed that allowed to apply electric fields up to 10 kV/cm in a wide temperature range.