Details
| Title | Исследование порфириновых структур с помощью сканирующего туннельного микроскопа: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
|---|---|
| Creators | Ариас Муньоз Хуан Камило |
| Scientific adviser | Рыков Сергей Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2019 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 11.03.04 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.07.2016 № 91 |
| Record key | ru\spstu\vkr\1936 |
| Record create date | 9/11/2019 |
С помощью сканирующего туннельного микроскопа изучены особенности топографии поверхности пленка порфирина на кристалле графита и локальные вольтамперные характеристики при комнатных условии. Получены изображения топографии в масштабах от несколько нанометров до 4 мкм. Локальные вольтамперные характеристики, измеренные при разных напряжении смещения и разных направлениях его развертки свидетельствуют о наличии метастабильных электронных состояний в порфирине.
Features of the surface topography of the porphyrin film on the graphite crystal substrate and the local current-voltage characteristics were studied using a scanning tunneling microscope at ambient conditions. STM images of surface were acquired at scale from some nanometers to 4 micrometers. The local current-voltage characteristics at different bias voltages scale and at different directions of scaling indicate the existence of the metastable electron states in porphyrin.
