Details
Title | Исследование порфириновых структур с помощью сканирующего туннельного микроскопа: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
---|---|
Creators | Ариас Муньоз Хуан Камило |
Scientific adviser | Рыков Сергей Александрович |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2019 |
Collection | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | Other |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 11.03.04 |
Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
Rights | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.07.2016 № 91 |
Record key | ru\spstu\vkr\1936 |
Record create date | 9/11/2019 |
С помощью сканирующего туннельного микроскопа изучены особенности топографии поверхности пленка порфирина на кристалле графита и локальные вольтамперные характеристики при комнатных условии. Получены изображения топографии в масштабах от несколько нанометров до 4 мкм. Локальные вольтамперные характеристики, измеренные при разных напряжении смещения и разных направлениях его развертки свидетельствуют о наличии метастабильных электронных состояний в порфирине.
Features of the surface topography of the porphyrin film on the graphite crystal substrate and the local current-voltage characteristics were studied using a scanning tunneling microscope at ambient conditions. STM images of surface were acquired at scale from some nanometers to 4 micrometers. The local current-voltage characteristics at different bias voltages scale and at different directions of scaling indicate the existence of the metastable electron states in porphyrin.