В данной работе описывается процесс реализации экспериментального термоэлектрического генератора ТЭГ, синтез тонких пленок полупроводников теллуридов висмута Bi2Te3 и сурьмы Sb2Te3 методом электрохимического осаждения, а так же оптимизация геометрических параметров универсальной твердотельной модели по критерию максимизации выходной мощности.

This paper describes the process of implementing an experimental TEG thermoelectric generator, the synthesis of thin films of bismuth Bi2Te3 and antimony telluride Sb2Te3 semiconductors by electrochemical deposition, as well as the optimization of the geometric parameters of a universal solid-state model according to the criterion of output power maximization.