В данной работе изучены особенности накопления повреждений в нитриде галлия и α- и β- полиморфах оксида галлия при облучении ускоренными ионами. Произведено сравнение радиационной стойкости данных материалов. Определена роль плотности каскадов столкновений при накоплении повреждений в оксиде галлия. Исследовано влияние атомов внедренной примеси при комбинированном облучении GaN. Показано, что деградация проводимости в GaN при облучении быстрыми тяжелыми ионами определяется в первую очередь упругими потерями энергии иона.

In this paper the features of damage accumulation in gallium nitride and in α- and β- gallium oxide polymorphs under irradiation by accelerated ions are investigated. The comparison of radiation tolerance in these materials was performed. The role of collision cascade density in damage accumulation in gallium oxide was determined. The influence of implanted atoms during consecutive irradiation of GaN was studied. It was shown that the conductivity degradation of GaN under irradiation by swift heavy ions is primarily due to elastic energy loss of ions.