В данной работе исследованы электрические характеристики кремниевой наносандвич структуры (КНС) в условиях квантового транспорта носителей заряда, пропускания тянущего тока исток-сток, соответствующего терагерцевому (ТГц) диапазону излучения КНС, и осаждения молекулы ДНК на поверхность краевых каналов проводимости. Полученные данные позволили зарегистрировать квантовые макроскопические эффекты, такие как аналог осцилляций Шубникова де Гааза, квантовая лестница проводимости и электрический аналог квантового эффекта Холла. Интерпретация результатов также позволила представить модель, описывающую влияние биомолекулы, в роли которой в данной работе выступает олигонуклеотид ДНК, на описанные выше квантовые макроскопические явления.

In this work, we study the electrical characteristics of a silicon nanosandwich structure (SNS) under conditions of quantum transport of charge carriers, transmission of a source-drain pulling current corresponding to the terahertz (THz) SNS radiation range, and deposition of a DNA molecule on the surface of edge conduction channels. The data obtained made it possible to register quantum macroscopic effects, such as the analog of Shubnikov de Haas oscillations, the quantum ladder of conductivity, and the electrical analog of the quantum Hall effect. The interpretation of the results also made it possible to present a model that describes the effect of a biomolecule, which in this work is played by a DNA oligonucleotide, on the quantum macroscopic phenomena described above.