Details

Title Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена в легированных высокотемпературных сверхпроводниках различных систем: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_05 «Физика конденсированного состояния»
Creators Хаддад Таммам
Scientific adviser Гасумянц Виталий Эдуардович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2024
Collection Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects высокотемпературные сверхпроводники; легирование; кинетические коэффициенты; коэффициент Нернста-Эттингсгаузена; модель узкой зоны; энергетический спектр; подвижность носителей заряда; high-temperature superconductors; doping; kinetic coefficients; Nernst-Ettingshausen coefficient; narrow band model; energy spectrum; charge carrier mobility
Document type Scientific report
File type Other
Language Russian
Level of education Graduate student
Speciality code (FGOS) 03.06.01
Speciality group (FGOS) 030000 - Физика и астрономия
Rights Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141
Additionally New arrival
Record key ru\spstu\vkr\33917
Record create date 10/8/2024

В работе представлены экспериментальные результаты исследования температурных зависимостей коэффициента Нернста–Эттингсгаузена в иттриевой системе, легированной цинком (Y_0.8Ca_2Ba_2Cu_3-xZn_xO_y ). Выявлены ключевые особенности поведения данного коэффициента, а также проведён анализ характера и механизма влияния различных значений x (x = 0.00–0.25) на зависимости . Полученные зависимости анализировались с использованием модели узкой зоны вместе с температурными зависимостями термоэдс, измеренными на тех же образцах. Показано, что разработанный подход позволяет количественно описать все экспериментальные данные по коэффициенту Нернста–Эттингсгаузена и на основе их анализа определить значения подвижности носителей заряда и степень асимметрии закона дисперсии. Также получены и обсуждены данные об изменении этих параметров под влиянием различных концентраций цинка.

The paper presents experimental results of a study of the temperature dependences of the Nernst–Ettingshausen coefficient in an yttrium system doped with zinc (Y_0.8Ca_2Ba_2Cu_3-xZn_xO_y ). The key features of the behavior of this coefficient are revealed, and an analysis of the nature and mechanism of the influence of various values ​​of x (x = 0.00–0.25) on the dependences is carried out. The obtained dependences are analyzed using the narrow-band model together with the temperature dependences of the thermoelectric power measured on the same samples. It is shown that the developed approach allows one to quantitatively describe all experimental data on the Nernst–Ettingshausen coefficient and, based on their analysis, determine the values ​​of the charge carrier mobility and the degree of asymmetry of the dispersion law. Data on the change in these parameters under the influence of various zinc concentrations are also obtained and discussed.