Details

Title: Исследование проводимости порфириновых пленок в сильных электрических полях: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators: Бурэнтогтох Болормаа
Scientific adviser: Захарова Ирина Борисовна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Document type: Bachelor graduation qualification work
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Rights: Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.07.2016 № 91

Annotation

Исследованы структура и проводимость тонких пленок органических полупроводников: металлопорфириновых комплексов MeTPP(Me=Zn, Cu, FeCl), и их нанокомпозитов с фуллереном C60, полученных методом вакуумного напыления в квазиравновесных условиях. Изучены вольт-амперные характеристики в сильных электрических полях напряженностью до 105-106 В/см. Показано, что ВАХ структур имеет сильно нелинейный характер и зависит от процесса формовки в сильном электрическом поле. Предложена модель, описывающая ВАХ формованных пленок механизмом тока, ограниченного пространственным зарядом с гауссовым распределением ловушек. Определена подвижность носителей, концентрация и энергетическое положение ловушек для MeTPP (Me=Zn, Cu). Показано наличие эффекта резистовного переключения.

The structure and conductivity of thin films of organic semiconductors: metal porphyrin complexes MeTPP (Me = Zn, Cu, FeCl), obtained by vacuum deposition under quasi-equilibrium conditions were investigated. Voltage-current characteristics in strong electrical filds up to 105-106 V/cm are studied. It is shown that the current – voltage characteristics of the structures are highly nonlinear and depend on the molding process in a strong electric field. A model is proposed that describes the current-voltage characteristics of the formed films by the mechanism of a current limited by a space charge with a Gaussian distribution of traps.