Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процесс радиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низких энергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длиной волны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты для всех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами. Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, что проявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронное облучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалле дефектов.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 130, № 9, 2022. — (23 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=49705257>.