Details
| Title | Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий // Оптика и спектроскопия. – 2022. – С. 1372-1377 |
|---|---|
| Creators | Зыкова Е. Ю.; Озерова К. Е.; Татаринцев А. А.; Туркин А. Н. |
| Imprint | 2022 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика; Люминесценция; сапфиры; фотолюминесценция; облучение электронами; облучение ионами; ионы низких энергий; радиационно-стимулированные дефекты |
| UDC | 535.37 |
| LBC | 22.345 |
| Document type | Article, report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| DOI | 10.21883/OS.2022.09.53297.3397-22 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\69287 |
| Record create date | 11/14/2022 |
Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процесс радиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низких энергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длиной волны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты для всех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами. Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, что проявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронное облучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалле дефектов.
Access count: 32
Last 30 days: 3
