Details
Title | Двухосевой однокристальный АМР-преобразователь магнитного поля // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – С. 500-508 |
---|---|
Creators | Баранов А. А.; Грабов А. Б.; Обижаев Д. Ю.; Жукова С. А. |
Imprint | 2023 |
Collection | Общая коллекция |
Subjects | Физика; Физические приборы и методы физического эксперимента; АМР-преобразователи; магнитные поля; однокристальные АМР-преобразователи; двухосевые АМР-преобразователи; магниторезистивные эффекты; анизотропные эффекты; магнитометры; AMR converters; magnetic fields; single-chip AMR converters; two-axis AMR converters; magnetoresistive effects; anisotropic effects; magnetometers |
UDC | 53.07 |
LBC | 22.3с |
Document type | Article, report |
File type | Other |
Language | Russian |
DOI | 10.24151/1561-5405-2023-28-4-500-508 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\71719 |
Record create date | 9/13/2023 |
Магнитометры, основанные на анизотропном магниторезистивном (АМР) эффекте, лидируют по массогабаритным характеристикам, энергопотреблению и чувствительности. Перспективна идея двухосевого АМР-преобразователя магнитного поля в однокристальном исполнении. В работе для целей магнитометрической навигации рассмотрены разработанные и изготовленные двухосевые однокристальные анизотропные преобразователи магнитного поля на основе тонких пленок Ni[80]Fe[20] со смешанной анизотропией. Описана технология их изготовления и представлены результаты исследования характеристик преобразователей. Достигнутая чувствительность по каждой оси составляет 1,58 мВ/(Э*В), начальный разбаланс моста Delta U = 20 мВ.
Magnetometers based on anisotropic magnetoresistive (AMR) effect are lead in physical data, energy consumption and sensitivity. The idea of two-axis single-chip AMR transducer of magnetic field is promising. In this work, the two-axis single-chip anisotropic transducers of magnetic field based on Ni[80]Fe[20] thin films with mixed anisotropy, developed for magnetometry navigation purposes, are considered. Their manufacturing technique and sensor characteristics studying results are described. The realized sensitivity on every axis is 1.58 mV/(Oe*V) with beginning bridge unbalance Delta U = 20 mV.
Access count: 15
Last 30 days: 1