В системах связи 5G для обеспечения максимальной скорости передачи данных требуется высокое качество характеристик всех элементов в составе сигнального пути. Для решения данной задачи необходимо провести анализ характеристик звеньев сигнального тракта. В работе выполнена оценка S-параметров высокоскоростных путей передачи сигналов, реализуемых в разрабатываемых корпусах новейших перспективных микросхем. На основе теории четырехполюсников предложен способ расчета комплексного коэффициента передачи с использованием результатов однопортовых измерений комплексных коэффициентов отражения. Рассмотрен один из вариантов реализации данного способа - концепция измерительной методики и состав требуемой измерительной ячейки. Проведено моделирование характеристик разработанных измерительных ячеек и высокоскоростных путей передачи сигналов, сформированных в корпусах микросхем. На основе результатов моделирования рассчитан комплексный коэффициент передачи и построен график погрешности оцениваемой характеристики. Предложенная методика оценки S-параметров позволяет улучшить характеристики сигнальных высокоскоростных путей в корпусах микросхем.

In the 5G communication systems, in order to ensure high data transfer rate the high quality of the characteristics of all elements in the signal path is required. It is necessary to analyze the characteristics of the signal path links to solve this problem. In this work, S-parameters of high-speed signal transmission paths implemented in chip packages being developed for latest promising microcircuits are analyzed. Based on quadrupole theory, a procedure for calculation of complex transfer coefficient using the results of single-port measurements of complex reflection coefficients is proposed. One of the options of this procedure implementation, the concept of the measuring technique and the composition of the required measuring cell, is considered. A simulation of characteristics of the developed measuring cells and high-speed signal transmission paths formed in the chip packages is conducted. Based on simulation results, the complex transfer coefficient has been calculated and the graph of the estimated characteristic error has been plotted. The proposed methodology of S-parameters estimation allows for improvement of characteristics of high-speed transmission paths in chip packages.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 6 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7821>.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. Т. 28, № 6, 2023. — (12 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=55172113>.