Details

Для основного и ряда низколежащих электронно-возбужденных дублетных и квартетных состояний молекулы тримера рубидия проведены систематические квантово-химические расчёты поверхностей потенциальной энергии (ППЭ), спин-орбитального взаимодействия (СОВ) и дипольных моментов электронных переходов (ДМЭП), которые могут пригодиться для оптимизации путей лазерного синтеза, охлаждения и манипулирования устойчивых ансамблей молекул Rb[3], находящихся при сверхнизких температурах. Неэмпирические расчеты электронной структуры гомоядерной молекулы Rb[3], заданной в линейной геометрии, а также равнобедреного и равностороннего треугольников, были выполнены многореференсным методом конфигурационного взаимодействия с учётом однократных и двукратных возбуждений (MR-CISD) и с явной динамической корреляцией только трех валентных электронов. Структура каждого атома аппроксимировалось девятиэлектронным эффективным остовным потенциалом (ECP28MDF), а молекулярные орбитали (МО) оптимизировались усредненным по дублетным и квартетным состояниям многоконфигурационным методом самосогласованного поля (SA-CASSCF). Остовно-валентные корреляции между двадцатью четырьмя субвалентными электронами, расположенными на дважды занятых МО, и тремя валентными электронами учитывались неявным образом с помощью одноэлектронного не зависящего от углового момента остовно-поляризационного потенциала (CPP), заданного в форме Мёллера-Майера. В результате исследования топологии рассчитанных в более чем 35000 точках двухмерных функций ППЭ, СОВ и ДМЭП, найдены геометрические параметры Rb[3], при которых ожидаются наиболее интенсивные вертикальные переходы и максимальное влияние СОВ.