Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: View |
Annotation
Экспериментально исследовано тепловое сопротивление светодиодов среднего инфракрасного диапазона спектра на основе гетероструктур p-InAsSbP/n-InAsSb "флип-чип"-конструкции. Показано, что для светодиодов на основе узкозонных полупроводников измерение теплового сопротивления с использованием температурночувствительного параметра прямого напряжения на p-n-переходе необходимо проводить при пониженных температурах для обеспечения постоянства температурного коэффициента напряжения.
Included in
Usage statistics
|
Access count: 11
Last 30 days: 2 Detailed usage statistics |