Details

Современному состоянию развития пленочных поглощающих элементов, применяющихся для построения волноводных, коаксиальных, полосковых и микрополосковых аттенюаторов и адаптоаттенюаторов, а также в гибридных интегральных схемах ВЧ- и СВЧ-диапазонов, присущи поиск путей повышения электрических характеристик и лучшее понимание происходящих в поглощающих элементах процессов. Значительный интерес представляет тепловая устойчивость поглощающих элементов при импульсном воздействии, зависящая от ряда трудно моделируемых конструктивно-технологических факторов. В работе с использованием программного комплекса Elcut проведено моделирование режима работы пленочного поглощающего элемента, в котором все выделяемое входными импульсами тепло поглощается пленкой с учетом зависимостей ее удельного поверхностного сопротивления и удельной теплоемкости от температуры. Исследованы зависимости плотности тепловыделения, распределения удельного поверхностного сопротивления и напряженности электрического поля по поверхности резистивной пленки для ряда топологий поглощающих элементов больших и малых ослаблений - типовых и оптимизированных - с более равномерным распределением плотности тока и градиентов потенциала по поверхности пленки. Предложена методика и приведены зависимости входного сопротивления и ослабления поглощающего элемента от энергии входного импульса, удельной теплоемкости и температурного коэффициента удельного сопротивления с учетом их температурных зависимостей для типовых материалов резистивных пленок. Показано, что ключевые параметры поглощающих элементов могут изменяться в ряде случаев более чем на 40 % по ослаблению и более чем на 80 % по входному сопротивлению. Предложенная методика может быть использована для определения максимальной энергии входного импульсного сигнала по наивысшей мгновенной допустимой температуре перегрева резистивной пленки.

Absorbing film elements are widely used for the construction of waveguide, coaxial, strip and microstrip attenuators and adaptoattenuators, as well as in hybrid RF and microwave integrated circuits. The current state of their development is characterized by the search for ways of electrical characteristics improvement, and better understanding of the processes occurring in the absorbing elements. The thermal stability of absorbing elements under pulsed action, depending on a number of difficult-to-model structural and technological factors, is of considerable interest. In this work, using the Elcut software package, a simulation of the operating mode of an absorbing film element was carried out, in which all the heat generated by the input pulses is absorbed by the film, with account for the dependences of its specific surface resistance and specific heat capacity on temperature. The dependences of the heat release density, the distribution of the specific surface resistance and the electric field strength over the surface of the resistive film are investigated for a number of topologies of absorbing elements of large and small attenuations - typical and optimized, with a more uniform distribution of current density and potential gradients over the surface of the film. A technique is proposed and the dependences are given: of the absorbing element’s input resistance and attenuation on the energy of the input pulse, on the specific heat capacity and on the temperature coefficient of resistivity, with account for their temperature dependences for typical materials of resistive films. It has been demonstrated that changes in the key parameters of the absorbing elements can exceed in some cases 40 % in attenuation and 80 % in input resistance. The proposed technique can be used to determine the maximum energy of the input pulse signal by the highest instantaneous permissible overheating temperature of the resistive film.