Details

Технологии передачи данных оптическим излучением, такие как Li-Fi или FSO, характеризуются высокой скоростью передачи и уровнем защиты информации, безопасностью для человека. Одними из наиболее перспективных фотоприемников для реализации указанных технологий являются матричные многоэлементные лавинные фотоприемники - кремниевые фотоэлектрические умножители (Si-ФЭУ), пространственные характеристики которых изучены недостаточно. В работе изложены результаты исследований зависимости неравномерности чувствительности, отношения сигнал / шум и скорости регистрации информации от площади поперечного сечения оптического зонда и места падения регистрируемого излучения на фоточувствительную поверхность фотоприемника, влияния напряжения питания фотоприемника и экспозиции оптического излучения на характеристики исследуемых Si-ФЭУ. Для проведения исследований отобраны три Si-ФЭУ: KETEK РМ 3325, ON Semi FC 30035 и КОФ5-1035. Определено, что среднее значение амплитуды импульсов напряжения фотосигнала принимает максимальное значение при расположении пятна оптического зонда в центре фоточувствительной поверхности на значительной ее площади. Установлено, что при перемещении пятна оптического зонда от центра к краю фоточувствительной поверхности исследуемых Si-ФЭУ среднее значение амплитуды импульсов уменьшается, но не более чем на 30 %. Показано, что при увеличении площади засветки фоточувствительной поверхности фотоприемника, вплоть до значений, соответствующих 65 % полной площади, наблюдается значительный рост отношения сигнал / шум и скорости регистрации информации. Однако при дальнейшем увеличении площади засветки рост указанных параметров заметно замедляется. Выяснено, что для достижения максимального значения сигнал / шум и скорости передачи информации необходимо, чтобы оптическое излучение покрывало всю площадь Si-ФЭУ, а энергетическая экспозиция соответствовала уровню критического значения.

Optical transmission technologies such as Li-Fi or FSO are characterized by high information transfer rate, information security level and safety for humans. Among the most promising photodetectors for the implementation of these technologies are matrix multi-element avalanche photodetectors - silicon photomultipliers (SiPM), the spatial properties of which are insufficiently studied. In this work, the results are given of the research on sensitivity unevenness, signal-to-noise ratio and information transfer rate dependence on cross section of optical probe and on registered radiation impingement point on photodetector’s photosensitive surface, and on effect of photodetector the supply voltage and exposure of the optical radiation on characteristics of SiMPs under study. Three SiPMs, of which two are imported (KETEK RM 3325 and ON Semi FC 30035) and one domestic (KOF5-1035), have been selected for the study. The data obtained show that the average value of the photo-signal voltage pulse amplitude takes a maximum value when the optical probe spot is located in the center of the photosensitive surface over a significant area of it. It has been established that when the optical probe spot moves from the center to the edge of photosensitive surface of the SiPMs under study, the average value of pulse amplitude decreases but no more than by 30 %. It was demonstrated that at the increase of light exposure area of photodetector’s photosensitive surface up to values corresponding to 65 % of full area the significant growth of signal-to-noise ratio and of information recording rate is observed. However, with further increase of light exposure area the growth of these parameters is appreciably slowed. It has been found that to achieve the maximum signal-to-noise ratio and information transfer rate, it is necessary that optical radiation covers the entire area of SiPM and the energy exposure conforms to level of critical value.