Details

Исследованы 100 nm частицы синтетического алмаза с большим (>4 ppm) количеством азот-вакансионных (NV{-}) центров. Последние обнаруживают линии, связанные с запрещенными Delta m[s]=2 и разрешенными Delta m[s]=1 переходами на спектрах электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) основного состояния NV- центра. Интенсивность люминесценции частиц в диапазоне 600-800 nm увеличивается с дозой облучения 5 MeV электронами и коррелирует с интегральной интенсивностью линии ЭПР с g-фактором g=4.27. Эта величина используется для оценки концентрации NV(-) центров и отбора алмазных порошков с наибольшей интенсивностью флуоресценции. Зависимость пиковой интенсивности ЭПР сигнала Delta m[s]=2 перехода NV{(-)} центра от микроволновой мощности имеет вид кривой с насыщением и последующим спадом, и достаточно хорошо характеризует кристаллическое качество локального окружения исследуемых центров в этих частицах. Интенсивность x,y Delta m[s]=1 перехода (при ~281.2 mT, 9.444 GHz) оказывается более чувствительной к изменению размера частицы в субмикронном диапазоне и появлению приповерхностных дефектов, полученных в ходе механической обработки.